精选文章 FPGA 读写访问 Flash

FPGA 读写访问 Flash

作者:工作使我快乐 时间: 2019-11-11 10:51:18
工作使我快乐 2019-11-11 10:51:18

目录

 

前言

1、AT25DF641A flash芯片简介

2、AT25DF641A flash读访问时序

3、AT25DF641A flash写访问时序

(1)关于Protect Sector

(2)关于Write Enable

(3)关于Erase

(4)关于状态寄存器

(5)写访问时序


前言

工作中,用到过两种flash:M25P32、AT25DF641A。

下面以这个串行Flash(AT25DF641A)为例,对Flash读写访问进行简单介绍。

 

1、AT25DF641A flash芯片简介

FPGA 读写访问 Flash1

AT25DF641A flash芯片管脚封装

FPGA 读写访问 Flash2
AT25DF641A flash芯片管脚封装

2、AT25DF641A flash读访问时序

按照芯片手册的读时序进行即可,没有特别需要注意的地方。

FPGA 读写访问 Flash3

 

 

3、AT25DF641A flash写访问时序

有几点说明需要注意:

(1)关于Protect Sector

由下图芯片手册说明可知,该Flash芯片在上电后,会默认处于保护状态。

在Flash芯片处于保护状态下,是不允许写访问和擦除操作。

FPGA 读写访问 Flash4

(2)关于Write Enable

首先需要知道,WEL bit 需要在写访问和擦除操作之前置1。

其次需要知道,WEL bit在写访问和擦除操作等成功后,会被自动清0。

FPGA 读写访问 Flash5

FPGA 读写访问 Flash6

(3)关于Erase

首先需要知道,写访问的地址空间必须是擦除过的地址空间。

其次需要知道,进行擦除操作之前,需要先将WEL bit置1.

最后需要知道,擦除操作成功后,Flash芯片会自动将WEL bit清零。

FPGA 读写访问 Flash7

FPGA 读写访问 Flash8

(4)关于状态寄存器

一般在所有数据全部写入Flash之后,会将Flash芯片置于保护状态。

FPGA 读写访问 Flash9

FPGA 读写访问 Flash10

(5)写访问时序

在发写指令和写地址之前,需要进行下面几个步骤:

  1. Write Enable,取消保护
  2. Write Enable,擦除对应地址空间
  3. Write Enable,等待写指令、写地址、写数据。

在上面3个步骤执行完之后,按照手册的写访问时序进行即可实现数据的写入操作。

Byte写访问和Page写访问,是没有太大区别的。因为他们发的写指令码是一样的。

FPGA 读写访问 Flash11

FPGA 读写访问 Flash12

详细的代码不再介绍,按时序图写Verilog代码即可。

 

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参考文献

作者博客
1、afishflyFPGA读写Flash模块 Verilog程序设计
2、lai-jian-tao基于FPGA的SPI FLASH控制器设计
3、时间看得见基于FPGA的关于flash一些学习记录
4、obiFPGA学习心得及(flash读写,+lwip+数据发送等问题)
5、张华山FPGA verilog 基于SPI总线协议控制flash的项目升级
6、起魔FPGA基础入门【8】开发板外部存储器SPI flash访问
  
  
  

 

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